蝕刻技術(shù)屬于感光化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域， 是用光刻腐蝕加工薄形精密金屬制品的一種方法。
產(chǎn)品：
其基本原理是利用化學(xué)感光材料的光敏特性, 在基體金屬基片兩面均勻涂敷感光材料采用光刻方法, 將膠膜板上柵網(wǎng)產(chǎn)顯形狀精確地復制到金屬基片兩面的感光層掩膜上通過(guò)顯影去除未感光部分的掩膜, 將裸露的金屬部分在后續的加工中與腐蝕液直接噴壓接觸而被蝕除, 最終獲取所需的幾何形狀及高精度尺寸的產(chǎn)品技術(shù)蝕刻技術(shù)。
蝕刻一共有兩大類(lèi)：1：干式蝕刻; 2:濕式蝕刻。
蝕刻技術(shù)是利用特定的溶液與薄膜間所進(jìn)行的化學(xué)反應來(lái)去除薄膜未被光阻覆蓋的部分，而達到蝕刻的目的，這種蝕刻方式也就是所謂的濕式蝕刻。因為濕式蝕刻是利用化學(xué)反應來(lái)進(jìn)行薄膜的去除，而化學(xué)反應本身不具方向性，因此濕式蝕刻過(guò)程為等向性，一般而言此方式不足以定義3微米以下的線(xiàn)寬，但對于3微米以上的線(xiàn)寬定義濕式蝕刻仍然為一可選擇采用的技術(shù)。
濕式蝕刻的優(yōu)缺點(diǎn)
濕式蝕刻的優(yōu)缺點(diǎn)
低成本、高可靠性、高產(chǎn)能及優(yōu)越的蝕刻選擇比。但相對于干式蝕刻，除了無(wú)法定義較細的線(xiàn)寬外，濕式蝕刻仍有以下的缺點(diǎn)：1) 需花費較高成本的反應溶液及去離子水；2) 化學(xué)藥品處理時(shí)人員所遭遇的安全問(wèn)題；3) 光阻附著(zhù)性問(wèn)題；4) 氣泡形成及化學(xué)蝕刻液無(wú)法完全與晶圓表面接觸所造成的不完全及不均勻的蝕刻；5) 廢氣及潛在的爆炸性。
濕式蝕刻過(guò)程可分為三個(gè)步驟：1) 化學(xué)蝕刻液擴散至待蝕刻材料之表面；2) 蝕刻液與待蝕刻材料發(fā)生化學(xué)反應； 3) 反應后之產(chǎn)物從蝕刻材料之表面擴散至溶液中，并隨溶液排出(3)。三個(gè)步驟中進(jìn)行最慢者為速率控制步驟，也就是說(shuō)該步驟的反應速率即為整個(gè)反應之速率。
大部份的蝕刻過(guò)程包含了一個(gè)或多個(gè)化學(xué)反應步驟，各種形態(tài)的反應都有可能發(fā)生，但常遇到的反應是將待蝕刻層表面先予以氧化，再將此氧化層溶解，并隨溶液排出，如此反復進(jìn)行以達到蝕刻的效果。如蝕刻硅、鋁時(shí)即是利用此種化學(xué)反應方式。
濕式蝕刻的速率
通?？山逵筛淖內芤簼舛燃皽囟扔枰钥刂?。溶液濃度可改變反應物質(zhì)到達及離開(kāi)待蝕刻物表面的速率，一般而言，當溶液濃度增加時(shí)，蝕刻速率將會(huì )提高。而提高溶液溫度可加速化學(xué)反應速率，進(jìn)而加速蝕刻速率。
除了溶液的選用外，選擇適用的屏蔽物質(zhì)亦是十分重要的，它必須與待蝕刻材料表面有很好的附著(zhù)性、并能承受蝕刻溶液的侵蝕且穩定而不變質(zhì)。而光阻通常是一個(gè)很好的屏蔽材料，且由于其圖案轉印步驟簡(jiǎn)單，因此常被使用。但使用光阻作為屏蔽材料時(shí)也會(huì )發(fā)生邊緣剝離或龜裂的情形。邊緣剝離乃由于蝕刻溶液的侵蝕，造成光阻與基材間的黏著(zhù)性變差所致。解決的方法則可使用黏著(zhù)促進(jìn)劑來(lái)增加光阻與基材間的黏著(zhù)性，如Hexamethyl-disilazane (HMDS)。龜裂則是因為光阻與基材間的應力差異太大，減緩龜裂的方法可利用較具彈性的屏蔽材質(zhì)來(lái)吸收兩者間的應力差。
蝕刻化學(xué)反應過(guò)程中所產(chǎn)生的氣泡常會(huì )造成蝕刻的不均勻性，氣泡留滯于基材上阻止了蝕刻溶液與待蝕刻物表面的接觸，將使得蝕刻速率變慢或停滯，直到氣泡離開(kāi)基材表面。因此在這種情況下會(huì )在溶液中加入一些催化劑增進(jìn)蝕刻溶液與待蝕刻物表面的接觸，并在蝕刻過(guò)程中予于攪動(dòng)以加速氣泡的脫離。
